歡迎來(lái)到泰州巨納新能源有限公司網(wǎng)站！歡迎來(lái)到泰州巨納新能源有限公司網(wǎng)站！
13651969369
當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 碳材料 > 石墨烯粉體 > 單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口）
簡(jiǎn)要描述：單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm單層比：99%純度：99%堆積密度：0.44g/cm3體積密度：為0.26g/cm3
更新時(shí)間：2024-06-04產(chǎn)品型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家訪 問(wèn) 量：1341詳細(xì)介紹
單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體積密度：為0.26g/cm3
TEM of Graphene Oxide
*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound
產(chǎn)品咨詢
聯(lián)系人：陳谷一
地址：江蘇省泰州市鳳凰西路168號(hào)
郵箱：taizhou@sunano.com.cn
電話：021-56830191掃一掃以下二維碼了解更多信息
銷售微信咨詢
網(wǎng)站二維碼